Транзистор КТ801Б: содержание драгметаллов

Подробная информация о транзисторе КТ801Б и содержании драгметаллов в нём. Транзисторы КТ801Б кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Фото:

КТ801Б: содержание драгметаллов

• Золото: 0,001000 грамм
• Серебро: 0
• Платина: 0
• Палладий: 0

Информация из справочника: "Содержание драгоценных металлов в электротехнических изделиях, аппаратуре связи, контрольно-измерительных приборах, кабельной продукции, электронной и бытовой технике. Информационный справочник в шести частях. Часть 1. Изделия и элементы общепромышленного назначения. - 2-е изд., перераб. и доп. -М.: ООО "Связьоценка", 2003"

Цена: 15 руб.

Технические характеристики

Основные технические параметры транзистора КТ801Б:

• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 мГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 мА (80В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом

Аналоги транзистора: BSх62, KU601, KU611, 2N1700, 2N4238

Цоколевка транзистора КТ801Б